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一种均流的碳化硅功率模块-CN117423672A - 专利顾如 ...
2023年10月8日 本专利由西安电子科技大学申请，2024-01-19公开，本发明涉及一种均流的碳化硅功率模块，包括：基板、若干第一功率芯片、若干第二功率芯片、若干第一功率端子、若干 2015年8月26日 本文对 SiC MOSFET 这一种新型器件的并联均流情况进行了研究，其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试，并利用此平台随机选取了两块 SiC MOSFET 分别在静 碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 道客巴巴
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碳化硅MOSFET并联主动均流的研究 - 百度学术
全球工业化水平逐步提高,传统电力电子器件受限于材料的自身因素,难以满足日益提升的要求.而以碳化硅为代表的宽禁带材料和碳化硅(SiC)MOSFET为代表的宽禁带半导体器件受到了科研人 2023年8月31日 本发明公开了一种针对碳化硅MOSFET负温度系数特性的并联均流方法，用于解决简单并联在一起的碳化硅MOSFET在低温工作条件下无法实现均流的问题。 由于初始导通 一种针对碳化硅MOSFET负温度系数特性的并联均流方法
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碳化硅mosfet并联均流的研究..doc 5页 - 原创力文档
2017年8月22日 碳化硅MOSFET并联均流的研究 Investigation of current sharing of paralleling SiC MOSFET 王珩宇1，吴新科1，郭清1，盛况1 （1浙江大学电气工程学院，杭州 310027） 在充电桩逆变器等电力设备中使用SiC MOSFET能够显著提高功率密度和设备的效率,本文主要针对SiC MOSFET的并联均流电路进行了研究。SiC MOSFET并联模块均流技术研究 - 百度学术
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碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 豆丁网
2020年12月1日 通过实验测试与分析,本文认为目前SiCMOSFET器件的离散度较大,同时动态不均流问题在开关速度较快（比如di/dt高达20A／ns）的情况下会加重.Abstract：SiCnew kind of 2021年11月24日 分类号：TN386单位代码：10058硕士学位论文论文题目：碳化硅MOSFET并联主动均流的研究学科专业：电气工程作者姓名：张永刚指导教师：宁平凡企业导师：孙连根完 碳化硅MOSFET并联主动均流的研究 - 道客巴巴
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碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 百度学术
2014年10月31日 碳化硅(SiC)材料是一种新型宽禁带半导体材料.本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究,其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试,并利用此 2020年12月1日 对SiCMOSFET进行了并俩均流测试,包括静态均流和动态均流.同时为了说明碳化硅MOSFET的均流问题,本次研究还对同等级Si的IGBT进行了测试。 测试是在室温25、母线电压380V的条件下进行,测试过程中将改变工作电流观察这一参数对均流 ...碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 豆丁网
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一种均流的碳化硅功率模块-CN117423672A - 专利顾如 ...
2023年10月8日 本专利由西安电子科技大学申请，2024-01-19公开，本发明涉及一种均流的碳化硅功率模块，包括：基板、若干第一功率芯片、若干第二功率芯片、若干第一功率端子、若干第二功率端子和若干第三功率端子，基板包括第一功率导电面、第二功率导电面和第...专利查询、专利下载就上专利顾如2019年6月11日 本发明涉及一种碳化硅开关器件拓扑。背景技术当前广泛使用的开关器件主要是硅基底的MOSFET和IGBT。硅基底MOSFET开关损耗低，但要做到1700V及以上耐压则导通损耗很高，IGBT导通损耗低，但由于尾流则开关损耗很高，一般不能用于很高的开关频率，如10kHz以上。而使用碳化硅基底的MOSFET开关器件，相对 ...一种碳化硅MOSFET的并联均流结构的制作方法 - X技术网
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一种碳化硅MOSFET的并联均流结构的制作方法 - X技术网
2019年6月11日 本发明涉及一种碳化硅开关器件拓扑。背景技术当前广泛使用的开关器件主要是硅基底的MOSFET和IGBT。硅基底MOSFET开关损耗低，但要做到1700V及以上耐压则导通损耗很高，IGBT导通损耗低，但由于尾流则开关损耗很高，一般不能用于很高的开关频率，如10kHz以上。而使用碳化硅基底的MOSFET开关器件，相对 ...2021年11月24日 分类号：TN386单位代码：10058硕士学位论文论文题目：碳化硅MOSFET并联主动均流的研究学科专业：电气工程作者姓名：张永刚指导教师：宁平凡企业导师：孙连根完成日期：01年月日万方数据碳化硅MOSFET并联主动均流的研究 - 道客巴巴
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碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 百度学术
2014年10月31日 碳化硅(SiC)材料是一种新型宽禁带半导体材料.本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究,其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试,并利用此平台随机选取了两块SiCMOSFET分别在静态和动态情况下观察了其均流情况,同时还在相同2020年8月21日 燃烧器碳化硅均流装置- 苏州上春仪监测程控设备制造有限公司 2020-8-21 全炉膛火焰监视系统厂家苏州上春仪监测程控设备制造有限公司专注为火力发电厂、大型电站锅炉制造企业、工业锅炉制造企业等行业提供燃烧器煤粉浓缩器,耐磨碳化硅 ...碳化硅均流装置,
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燃烧器碳化硅均流装置-苏州上春仪监测程控设备制造有限公司
2024年8月27日 您的位置： 首页 > 定制中心 > 燃烧器配件 > 燃烧器碳化硅均流装置 巴威配土耳其胡努特鲁碳化硅均流装置 上春仪定制中心 燃烧器配件 燃烧器碳化硅喷嘴 燃烧器碳化硅喷嘴体 燃烧器碳化硅浓缩器 燃烧器碳化硅稳焰齿扩锥 燃烧器碳化硅中心风管 ...典型应用 手机、平板显示器3D玻璃热弯成型机 汽车终控显示屏3D玻璃热成型机 非球面玻璃模压热成型机（模造机） 特点和优势 热导率高，均温性好，传热散热快，热响应速度快（加热和冷却速度）碳化硅均热板-江苏三责新材料科技股份有限公司 - Sanzer
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一种超精细碳化硅微粉水力溢流分级装置制造方法
2014年4月16日 本实用新型是一种超精细碳化硅微粉水力溢流分级装置，包括溢流桶，溢流桶下部呈倒圆锥体，在溢流桶下部倒圆锥体的小口端设有进水口，溢流桶的上部侧壁上连接有粉料输出管，在溢流桶的进水口处设有与进水管相接的分水机构，所述的分水机构包括设在溢流桶内的锥形散水器，在溢流桶外设有 ...2018年11月13日 本文对SiCMOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究，其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试，并利用此平台随机选取了两块SiCMOSFET分别在静态和动态情况下观察了其均流情况，同时还在相同条件下测试了SiIGBT以进行对比。碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 道客巴巴
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SiC MOSFET并联模块均流技术研究 - 百度学术
但是,作为新一代宽禁带半导体器件,碳化硅 (SiC)由于其在高压大功率应用领域的优良特性而受到了广泛关注。在充电桩逆变器等电力设备中使用SiC MOSFET能够显著提高功率密度和设备的效率,本文主要针对SiC MOSFET的并联均流电路进行了研究。本文首先 ...目前，国内对SiC MOSFET并联不均流的原因展开了广泛的研究，其主要包括模块本身参数设计、主功率回路寄生参数、不同应用场合的温度变化等对并联模块电流不均流的影响，表1从模块并联不均流的静态因素及动态因素进行了列举。SiC MOSFET并联均流技术的研究 - 百度文库
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碳化硅mosfet并联均流的研究..doc 5页 - 原创力文档
2017年8月22日 碳化硅mosfet并联均流的研究..doc,碳化硅MOSFET并联均流的研究 Investigation of current sharing of paralleling SiC MOSFET 王珩宇1，吴新科1，郭清1，盛况1 （1浙江大学电气工程学院，杭州 310027） 摘要：碳化硅材料是一种新型宽禁带半导体材碳化硅功率器件技术综述与展望 CSEE 关键词：碳化硅；功率器件；二极管；结型场效应晶体管； 金氧半场效晶体管；绝缘栅双极型晶体管；门极可断晶闸管 器件的研发也逐步从科研机构向企业转移。 0 引言 功率器件 本文将探讨碳化硅 (SiC) 作为功率半导体开关及其生态系 统（尤其是栅极驱 碳化硅 均流装置
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碳化硅清吹机 - 百度百科
采用流化分散及气力分选原理对颗粒表面进行除尘的清洁装置。经颗粒去尘机清洗后，颗粒状物料中夹杂及表面粘附的粉尘被有效去处，物料清洁度大大提高，后续工序生产环境得以改善，同时增加了颗粒状物料与结合剂的结合强度，从而提高了所制产品的各项性能指标。2018年11月13日 本文对SiCMOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究，其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试，并利用此平台随机选取了两块SiCMOSFET分别在静态和动态情况下观察了其均流情况，同时还在相同条件下测试了SiIGBT以进行对比。碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 道客巴巴
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一种大尺寸碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备方法与流程
2022年4月30日 1.本发明涉及半导体材料生长领域技术领域，尤其涉及一种大尺寸碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备方法。背景技术： 2.碳化硅是第三代半导体材料，具有宽禁带、高热导率、高电子饱和迁移速率和高击穿电场等性质，相比第一代半导体材料硅和第二代半导体材料砷化镓等有显著的优越性，同时 ...分享 SiC MOSFET单管的并联均流特性及1 200V 产品参数碳化硅在大功率的应用中，芯片的均流问题随之凸显。并联必然会由于器件，回路和驱动的差异而产生不同程度的不均流问题。 器件不均流会使得器件的损耗不同，发热不同。在稳 多管并联SiC MOSFET驱动电路设计.pdf字字干货，SiC MOSFET碳化硅均流装置
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一种碳化硅的水力溢流分级装置-CN218078362U - 专利顾如 ...
2022年7月20日 本专利由吉林纽思达金属材料有限公司申请，2022-12-20公开，本实用新型公开了一种碳化硅的水力溢流分级装置，涉及碳化硅技术领域，包括主体，所述主体的顶部固定设置有进料管，所述主体的两侧内壁均开有多个安装插槽，且安装插槽的内壁插接有安装插板，位...专利查询、专利下载就上专利顾如2024年3月1日 本发明属于碳化硅陶瓷材料加工，具体是反应烧结sic陶瓷，具体涉及一种半导体设备用含中空流道结构的精密部件及其制备方法，尤其是一种中空流道碳化硅吸盘底座及其制备方法。背景技术、sic吸盘作为半导体装备中的 一种中空流道碳化硅吸盘底座及其制备方法与流程
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碳化硅mosfet并联均流的研究 - 豆丁网
2021年7月26日 同时为了说明碳化硅MOSFET的均流问题，本次研究还对同等级Si的IGBT进行了测试。测试是在室温25℃、母线电压380V的条件下进行,测试过程中将改变工作电流观察这一参数对均流的影响.3。 1静态均流利用同轴电阻检测两路MOSFET在静态导通电流时 ...2022年8月19日 本发明涉及一种中子束流监测装置，具体涉及一种碳化硅自给能半导体探测器及中子束流反角监测装置，解决现有碳化硅半导体探测器无法实现自给能且能量分辨率不理想，使得前端监测装置需要额外供电的技术问题。该碳化硅自给能半导体探测器包括SiO2钝化层与从下至上依次堆叠设置的Ni/Au阴极 ...碳化硅自给能半导体探测器及中子束流反角监测装置-专利-万方 ...
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一种碳化硅陶瓷均温板的制备方法专利检索-焙烧或烧结工艺 ...
2022年10月26日 1.一种碳化硅陶瓷均温板的制备方法，其特征在于：包括粉体料制备，粉体料预处理，粉末料浆的制备，制浆造粒，等静压成型，干燥及烧结六个步骤；所述粉体料制备，其方法为将氟硅酸 钙、邻碳硼烷、氟化钙、正硅酸钇、碳化钛、硅酸锆粉末、固态聚硅碳烷混合后，球磨成平均粒径1 4微米的混合 ...2022年11月30日 1.本发明涉及一种中子束流监测装置，具体涉及一种碳化硅自给能半导体探测器及中子束流反角监测装置。背景技术： 2.加速器中子源是指加速带电粒子(如氘、质子或其他离子)轰击一定的靶材时，可引发发射中子核反应的设备。 与放射性同位素中子源相比，加速器中子源具有中子产额高、能量可调 ...碳化硅自给能半导体探测器及中子束流反角监测装置的制作方法
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气流管道系统的均流装置[实用新型专利]_百度文库
2008年3月5日 气流管道系统的均流装置[实用新型专利]-权利要求书 1 页 说明书 1 页 附图 1 页200720012000.9权利要求书第1/1页1. 气流管道系统的均流装置，包括：一个气流导向装置和一个气流分布板，在气流分 首页 文档 视频 音频 文集 文档 公司财报 ...2022年8月17日 碳化硅MOSFET并联主动均流的研究作者为张永刚，于2021发表的电气工程类硕士论文，论文导师是宁平凡, 孙连根。 掌桥科研 一站式科研服务平台 文档翻译 学术分析 论文查重 文档转换 科技查新 论文辅导1v1 首页 成为会员 我要充值 登录/注册 文献 ...碳化硅MOSFET并联主动均流的研究-硕士-中文学位【掌桥科研】
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碳化硅均流管，碳化硅制品尽在硕存网站(图)-阿里巴巴
阿里巴巴碳化硅均流管，碳化硅制品尽在硕存网站(图)，电子陶瓷材料，这里云集了众多的供应商，采购商，制造商。这是碳化硅均流管，碳化硅制品尽在硕存网站(图)的详细页面。加工定制:是，特性:瓷球、氧化铝瓷球、磨介球，功能:绝缘装置陶瓷，产品单价:120.00，发货期限:10，用途:瓷球、氧化铝 ...2023年8月31日 一种针对碳化硅MOSFET负温度系数特性的并联均流方法,202311118401.2,发明公布,本发明公开了一种针对碳化硅MOSFET负温度系数特性的并联均流方法，用于解决简单并联在一起的碳化硅MOSFET在低温工作条件下无法实现均流的问题。由于初始导通电阻的差异，流过碳化硅MOSFET并联组的电流不一致，导致MOSFET间 ...一种针对碳化硅MOSFET负温度系数特性的并联均流方法 ...
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