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碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速 ...
2024年10月22日 1）碳化硅切割设备：国内首个高线速碳化硅金刚线切片机GCSCDW6500能切出和砂浆切割一样的晶片质量，切割效率大大提高，生产成本明显降低，在行业里独家实现批 2024年2月17日 从SiC衬底、外延、芯片到模块,涉及单晶、切磨抛、外延、离子注入、热处理等关键装备,随着整体市场的蓬勃发展,设备需求迎来了机遇期。 一、SiC 单晶生长设备SiC PVT生长设备是国产化较高的设备,其难点在于需要解决S半导体碳化硅(SiC) 关键设备和材料技术进展的详解；
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碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设
2023年4月26日 目前国内碳化硅切割设备主 流为金刚线切割设备，主要集中于高测股份、上机数控、连城数控、宇 晶股份等国内企业；激光切割设备目前试产份额 ...2024年4月5日 碳化硅零部件 ，即以碳化硅及其复合材料为主要材料的设备零部件，被广泛应用于外延生长、等离子体刻蚀、快速热处理、薄膜沉积、氧化/扩散、离子注入等主要半导体制造环节的设备中。 根据晶体结构不同，碳化硅主要 半导体设备碳化硅（SiC）零部件行业研究报告-聚展
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碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，碳化硅衬底切片设备 ...
2023年4月26日 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，碳化硅衬底切片设备加速国产化。 碳化硅材料兼具高性能+低损耗优势，晶体生长和切割是产业化瓶颈。 优势：1）高性能：碳化硅 2023年10月20日 全球已有多家车企的多款车型使用SiC，2018年特斯拉率先在Model3上搭载SiC，从此拉开了碳化硅大规模上车序幕，蔚来、比亚迪、吉利、现代汽车等车企纷纷跟进。 碳化硅设备行业深度报告：SiC东风已来，关注衬底与外延 ...
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碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国
2022年3月2日 SiC 碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅 元素组成的一种化合物半导体材料。 相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁 带宽度是硅的 3 倍；导热率为硅的 4-5 倍；击穿 2023年2月27日 与硅基半导体材料相比，碳化硅具备能量损耗低、封装尺寸更小、可实现高频开关以及耐高温、散热能力强的突出优势，适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，是新能 机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速
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碳化硅设备进展如何？晶盛机电等4家企业回应 - 电子工程 ...
2023年5月10日 近日，多家企业宣布在碳化硅设备领域获得新进展。 2月4日，晶盛机电宣布成功发布6英寸双片式SiC碳化硅外延设备，标志着晶盛机电在第三代半导体领域取得重大突破。 3 天之前 公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺，于2019年成功研制出6英寸电阻法碳化硅单晶生长设备，经持续工艺优化，目前已推出至第四代机型⸺UKING ERH SiC RV4.0电阻法碳化硅长晶设备，可用于6英寸、8英寸 国内碳化硅（SiC）长晶炉供应商10强 - 艾邦半导体网
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半导体设备的“核心力量”——碳化硅零部件-专题-资
2024年3月18日 中国粉体网讯 碳化硅（SiC）是一种性能优异的结构陶瓷材料。 碳化硅零部件，即以碳化硅及其复合材料为主要材料的设备零部件，其具备密度高、热传导率高、弯曲强度大、弹性模数大等特性，能够适应晶圆外延、刻蚀等 2024年4月5日 四、半导体设备碳化硅（SiC）零部件行业的进入壁垒和发展趋势 （一）进入壁垒 1、技术壁垒 LED 外延片、SiC 外延片、Si 外延片制备及集成电路制造过程中，反应腔内为高温环境、气氛恶劣，对内部零部件损伤大。碳化 半导体设备碳化硅（SiC）零部件行业研究报告-聚展
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市场国产碳化硅外延炉设备竞争江湖 - 电子工程专辑 EE ...
2023年6月29日 一代工艺一代设备。下游市场的飞速增长，不断的扩产需求也助推了碳化硅外延设备的市场增长，海外龙头LPE、Aixtron公司，nuflare纷纷趁机扩大产能，国内外延设备企业更是签单、融资、扩产动作频频，今年来更是有多个碳化硅外延设备新项目成立，参与2023年7月17日 碳化硅外延设备：主要用于在碳化硅衬底上生长碳化硅外延层。碳化硅外延生长方法 包括化学气相沉积（CVD）、液相外延（LPE）、分子束外延（MBE）、蒸发生长法、磁 控溅射及脉冲激光沉积（PLD）等。晶盛机电：迈向半导体+碳化硅设备龙头，设备+零部件布局 ...
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碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有 ...
2022年3月2日 及国内领先的蓝宝石长 晶炉生产厂商。依托于蓝宝石业务的积累，向碳化硅“设备——衬底——外延”的 全产业链延伸。 公司已储备国内最早从事碳化硅晶体生长研究的陈之战博士研究团队，是国内最早 开展 6 英寸 SiC 炉子开发单位 ...2024年10月18日 4.2.1 电阻法碳化硅晶体生长设备产品的型号应按JB/T 9691—1999编制。4.2.2 电阻法碳化硅晶体生长设备按其工作室内径尺寸或生长晶体的规格进行分类。4.2.3 电阻法碳化硅晶体生长设备按工作室内径尺寸（单位为cm）分为多个品种（通常以 此分类方法电阻法碳化硅单晶生长设备
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晶盛机电: 晶盛机电深度报告之【半导体设备】篇：迈向半导体 ...
2023年7月14日 面，公司8英寸单片式碳化硅外延设备、6英寸双片式碳化硅外延设备技术处国际领先水平。 3）半导体零部件：上游延伸零部件业务，平台化布局空间打开。公司向上游延伸坩锅、金刚 线、阀门、管接头、磁流体等半导体零部件业务，有望进入加速成长期。2020年10月21日 碳化硅材料整线关键工艺设备共22 种，下面就介绍一下我国碳化硅的发展现状，和碳化硅晶体生长及加工的关键设备。 碳化硅半导体产业发展现状 在我国进行产业升级的浪潮中，SiC材料以其独特的性能得到了越来越多的应用(如: 高功率电力电子 ...首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做 ...
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碳化硅多线切割设备厂商
2023年12月21日 由于DISCO的设备精准度非常高，切割材料的精度高达微米级，在碳化硅市场也应用广泛。2016年，DISCO推出的新型碳化硅晶锭激光切片技术（KABRA），可以显著缩短加工用时，将单片6寸 SiC 晶圆的切割时间由3.1小时大幅缩短至10，单位材料 ...碳化硅冷凝器设备工艺原理-1.烟气进入碳化硅冷凝器前首先经过加热，使其温度达到冷凝温度以上。2.烟气在进入冷凝器后，在碳化硅陶瓷管的表面不断地冷凝，使其其中含有的腐蚀性和有害气体逐渐减少。3. ...碳化硅冷凝器设备工艺原理_百度文库
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2023年晶盛机电专题报告：迈向半导体+碳化硅设备龙头 ...
2023年7月17日 4.2 外延设备：碳化硅领域持续发力，8 英寸外延设备实现突破 在功率半导体领域，2023 年 6 月，公司成功研发出 8 英寸单片式碳化硅外延生长设 备；2023 年 2 月，公司发布 6 英寸双片式碳化硅外延设备，与单片设备相比，新设备单台 产能增加 70% ...2023年12月10日 （二）SiC衬底生产流程：包括长晶、切片、研磨和抛光四个环节，涉及碳化硅长晶炉、切片设备 、研磨抛光设备 1、长晶：通过物理气相传输法（PVT）形成碳化硅单晶锭 碳化硅单晶炉的长晶方式（晶体制备方法）主要包括物理气相传输（Physical ...32 半导体专题篇十二：外延设备——以碳化硅（SiC）为例
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8英寸碳化硅时代已来？全球超30家SiC厂商进度一览
2 天之前 目前，国内部分碳化硅厂商正在积极研发8英寸碳化硅设备 ，还有部分厂商相关产品已进入商业化阶段，并获得了国内外客户订单，已经对国际厂商碳化硅设备业务形成了一定的挑战，未来有望持续蚕食国际对手们的市场份额 ...2023年7月14日 面，公司8英寸单片式碳化硅外延设备、6英寸双片式碳化硅外延设备技术处国际领先水平。 3）半导体零部件：上游延伸零部件业务，平台化布局空间打开。公司向上游延伸坩锅、金刚 线、阀门、管接头、磁流体等半导体零部件业务，有望进入加速成长期。迈向半导体+ 碳化硅设备龙头,设备+零部件协同布局铸造高壁垒
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碳化硅材料零部件广泛应用于外延生长、氧化/扩散/退火等设备
2023年10月19日 按照主要材料不同，半导体设备零部件可以分为硅/碳化硅 件、石英件、陶瓷件、金属件、石墨件、塑料件等。按照使用周期不同，半导体设备零部件又可分为非耗材类和耗材类。非耗材类零部件使用周期较长，更换频率较低。非耗材类零部件的 ...2024年7月19日 据观察，碳化硅设备厂商普遍业绩报喜，叠加今年下半年的持续签单与交货，各大碳化硅设备厂商有望继续保持业绩增长。03 扩产潮、8英寸转型，碳化硅设备厂商前景光明 碳化硅设备厂商产销两旺，与碳化硅产业高速发展密切相关。碳化硅设备厂商正在闷声发大财 - 电子工程专辑 EE Times China
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开源证券：关注碳化硅设备国产化突破和加速
2023年2月27日 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使用专用设备，部分需要在硅设备基础上加以改进。根据我们梳理，目前长晶设备已基本实现国产化，其他各工艺环节设备国产化率在0％-20％之间。国产替代空间广阔。2023年8月29日 同时，我们紧跟碳化硅产业向更大尺寸发展的趋势，研发并交付了8英寸碳化硅外延设备，其具备独特的反应腔室设计、可独立控制的多区进气方式等特点，将更好的提高外延片的均匀性，降低外延缺陷及生产中的耗材成本。目前，该设备已销售多个客户。最新突破 纳设智能成功研发8英寸碳化硅外延设备-深圳市纳 ...
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碳化硅衬底及外延材料量测检测设备的挑战及国产替
2024年6月5日 那么本文将带来上海优睿谱半导体设备有限公司关于碳化硅 衬底及外延材料量测检测设备的挑战及国产替代进度的分享上海优睿谱半导体设备有限 ...2024年3月29日 一、半导体设备 碳化硅（SiC）零部件行业的相关基本概念 （一）半导体设备零部件行业的基本概况 半导体行业遵循“一代技术、一代工艺、一代设备”的产业规律，半导体设备 的升级迭代很大程度上有赖于其 零部件 的技 半导体设备碳化硅（SiC）零部件行业研究报告 - 电
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碳化硅膜-西安超滤环保科技股份有限公司
碳化硅 陶瓷膜（ SIC)是采用重结晶技术通过高温烧结而成，其多孔支撑层、过渡层、膜层全部为碳化硅材料，其过滤精度为微滤、超滤。SIC膜过滤系统是一种“错流过滤”形式的流体分离过程，原料液在膜管内高速流动，在压力驱动下含小 2024年6月5日 2024年世界碳化硅大会在武汉举办获得圆满成功，在大会上，诸多碳化硅产业的专业人员也给我们分享了这个行业目前的进展以及相关产业的研究进度，那么本文将带来上海优睿谱半导体设备有限公司关于碳化硅衬底及外延材料量测检测设备的挑战及国产替代进度的分享碳化硅衬底及外延材料量测检测设备的挑战及国产替代进度
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晶盛机电专题报告：迈向半导体+碳化硅设备龙头，设备+零 ...
2023年7月17日 晶盛机电专题报告：迈向半导体+碳化硅设备龙头，设备+零部件协同布局铸造高壁垒。简要：公司为光伏+半导体硅片设备龙头，向光伏耗材、碳化硅材料等领域延伸，空间打开。本篇报告将核心从公司的半导体设备业务进行展开。半导体长晶设备：大硅片时代需求加速，长晶设备国产先行、期待切磨 ...2023年10月19日 按照主要材料不同，半导体设备零部件可以分为硅/碳化硅 件、石英件、陶瓷件、金属件、石墨件、塑料件等。按照使用周期不同，半导体设备零部件又可分为非耗材类和耗材类。非耗材类零部件使用周期较长，更换频率较低。非耗材类零部件的 ...碳化硅材料零部件广泛应用于外延生长、氧化/扩散/退火等设备
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碳化硅设备行业深度报告：SiC东风已来，关注衬底与外延 ...
2023年10月20日 3、股价催化剂：SiC衬底外延持续扩产，国产设备商订单落地，设备国产化率提升。 4、风险提示：新能源车销量不及预期的风险、碳化硅渗透率提升不及预期的风险、SiC设备国产化率提升不及预期、各家厂商技术研发不及预期。2023年8月28日 SiC衬底激光剥离设备是一款基于SPARC激光技术实现碳化硅衬底高效剥离的设备，能够实现对SiC晶锭的精准定位、均匀加工、连续剥离。 该设备适用于不同厚度和尺寸的SiC衬底加工，为SiC衬底的生产提供了革新的解决方案，有效降低SiC材料的切片 ...SiC衬底激光剥离设备-西湖仪器（杭州）技术有限公司
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国产芯片制造装备打破国外垄断：我国首套碳化硅晶锭激光 ...
2024年8月26日 该设备可实现6英寸和8英寸碳化硅晶锭的全自动分片,包含晶锭上料、晶锭研磨、激光切割、晶片分离和晶片收集,其产业化投产,一举填补国内碳化硅 ...
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