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造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？_工艺_碳化硅_
2023年5月21日 在工艺设备方面，主要涉及清洗机、光刻机、刻蚀设备、LPCVD、蒸镀等常规设备以及高温高能离子注入机、高温退火炉、高温氧化炉等特殊专用设备。2024年10月22日 1）碳化硅切割设备：国内首个高线速碳化硅金刚线切片机GCSCDW6500能切出和砂浆切割一样的晶片质量，切割效率大大提高，生产成本明显降低，在行业里独家实现批 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速 ...
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半导体碳化硅(SiC) 关键设备和材料技术进展的详解；
2024年2月17日 从SiC衬底、外延、芯片到模块,涉及单晶、切磨抛、外延、离子注入、热处理等关键装备,随着整体市场的蓬勃发展,设备需求迎来了机遇期。 一、SiC 单晶生长设备SiC PVT生长设备是国产化较高的设备,其难点在于需要解决S2024年1月17日 碳化硅在制程上，大部分设备与传统硅生产线相同，但由于碳化硅具有硬度高等特性，需要一些特殊的生产设备，如高温离子注入机、碳膜溅射仪、量产型高温退火炉等，其 一个能打的都没有？SiC芯片制造关键设备再突破，实现 ...
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【原创】 造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？ - 中国粉体网
2023年5月13日 碳化硅的磨抛设备分为粗磨和细磨设备，粗磨方面国产设备基本可以满足加工需求，但是细磨方面主要采购来自于日本不二越、英国log-itech、日本disco等公司的设备，采用 2023年12月22日 目前国内碳化硅长晶炉主要设备厂商有北方华创、丰港化学、晶盛机电、优晶股份等设备厂商。 切割是碳化硅衬底制备的首要关键工序，决定了后续研磨、抛光的加工水 碳化硅产业核心设备
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碳化硅制造中的环节和设备 - 电子工程专辑 EE
2023年9月22日 碳化硅工艺制造过程中使用的典型高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描盘组成，如图2所示。 SiC离子注入通常在高温下进行，可以最大限度地减少离子轰击对 2024年12月10日 碳化硅衬底的生产流程包括长晶、切片、研磨和抛光四个环节。 长晶：核心环节，通过物理气相传输法（PVT）在高温高压的条件下，将碳化硅原料气化并沉积在种子晶 碳化硅生产关键设备单晶炉市场预测及企业概述 - 艾邦半导体网
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半导体碳化硅(SiC) 关键设备和材料技术进展的详解；
2024年2月17日 SiC PVT生长设备是国产化较高的设备,其难点在于需要解决SiC晶体生长难度大、重复性低、生长良率低、长晶工艺各不相同以及设备高度定制化等挑战，未来设备技术将朝着自动化、高工艺重复性、提升晶体生长良率 2024年9月12日 英飞凌在2024年8月8日宣布，其位于马来西亚居林的8英寸碳化硅功率半导体晶圆厂一期项目正式启动运营。项目投资额20亿欧元，重点生产碳化硅功率半导体，同时也涵盖部分氮化镓外延生产。碳化硅技术进展，全球8英寸晶圆生产线布局全解析
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业界首款300mm碳化硅衬底问世-全球半导体观察
2024年11月14日 12英寸衬底方面，目前尚未广泛应用，业界称，未来随着技术的不断进步和成本的降低，12英寸有望成为碳化硅衬底的重要发展方向。 碳化硅衬底正在不断向大尺寸的方向发展，不过大尺寸衬底的生产技术难度更高，需要先进的生产设备和技术支持，这也意味着2023年4月28日 切割是加工碳化硅最关键的工艺，占整个加工成本 的 50%以上。该过程 需要使用切割技术及设备将碳化硅晶锭切割成厚度不超过 1mm 的晶片， 要求翘 ...碳化硅衬底切割行业分析报告：8英寸碳化硅衬底的历史机遇
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深入解析碳化硅二极管与MOSFET：第三代半导体的制造与 ...
2024年12月12日 碳化硅（SiC）功率器件凭借耐高温、耐高压、高功率密度和高频性能，成为第三代半导体的重要代表。碳化硅二极管与MOSFET广泛应用于电力电子、新能源汽车和清洁能源领域，具备显著性能优势。从原材料合成到晶圆制造及后续封装的完整产业链展现了其技术复杂性和 2 天之前 员工也被遣散了。听说是因该公司经营不善，现在厂区的部分产线设备 ... 背后说明，从事碳化硅生产 ，不仅技术过硬，还要经得起批量供应‘产业 ...碳化硅龙头世纪金光陷停产风波：注册地办公场所“人去楼空 ...
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碳化硅 - 百度百科
2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 ...2023年9月22日 1、芯片制造碳化硅SBD与MOSFET的基本制造方法相同，SBD结构简单、制造工艺相对简单，MOSFET的制造工艺相对复杂，以结构最简单的横向、平面型MOSFET为例说明如下：（1）图形化氧化膜。清洗碳化硅制造中的环节和设备 - 电子工程专辑 EE Times China
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碳化硅技术进展，全球8英寸晶圆生产线布局全解析
2024年9月11日 全球8英寸碳化硅晶圆的生产进程正在稳步推进，各大厂商的战略布局将为未来的市场竞争奠定坚实的基础，碳化硅市场正在迎来一个新的发展高峰。 这些新建与扩建项目不仅将在未来几年内逐步释放8英寸产品的产能，也将为整个行业带来技术和工艺的持续进步。2023年2月11日 碳化硅器件生产过程跟传统的硅基器件基本一致，主要分为衬底制备、外延层生长、晶 圆制造以及封装测试四个环节，其中： 衬底：高纯度的碳粉和硅粉 1:1 混合制成碳化硅粉，通过单晶生长成为碳化硅晶 锭，然后对其 碳化硅行业研究：把握能源升级+技术迭代的成长机
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【原创】 简述碳化硅的生产制备及其应用领域 - 粉体网
2017年4月21日 三.国内生产工艺现状 中国碳化硅冶炼的生产工艺、技术装备和单吨能耗都达到世界领先水平。黑、绿碳化硅原块的质量水平也属世界级。但是与国际相比，中国碳化硅的成产还存在以下问题：（1）生产设备不先进，很多 碳化硅烧成窑炉发展自古至今都以燃料为主要依据。即从柴窑→煤窑→油窑→气窑。也就是说从烧固体燃料窑炉逐渐进化为烧气体燃料的窑炉，其发展也与耐火材料有较大关系，随着耐火材料工业进化，窑炉逐渐由重质窑→半重质窑→轻体窑。碳化硅烧成窑 - 百度百科
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两个百亿级半导体项目即将投产-全球半导体观察
16 小时之前 近日，两个百亿级半导体项目即将迎来投产，长飞先进总投资超200亿元的武汉第三代半导体功率器件研发生产基地首批设备已搬入，预计明年5月量产通线；格力旗下投资近百亿元建设的全自动第三代半导体（碳化硅）芯片工厂正式建成并投入生产。2023年11月30日 综合来看，国内碳化硅关键设备产业已经逐步发力，大部分设备类型都已有国产替代方案，在碳化硅产业爆发的情况下，未来碳化硅设备市场也将不断增大，预计此轮利好将持续2-3年，在此期间碳化硅设备需求将持续增长，将为国内设备厂商带来巨大的发展机遇2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇 - 艾邦 ...
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碳化硅龙头世纪金光陷停车风波：注册地办公场所“人去楼空 ...
2 天之前 员工也被遣散了。听说是因该公司经营不善，现在厂区的部分产线设备 ... 背后说明，从事碳化硅生产 ，不仅技术过硬，还要经得起批量供应‘产业 ...氮化镓(gan)和碳化硅(sic)芯片的生产工艺流程_概述说明-1.2 文章结构本文包括以下几个部分：引言、氮化镓芯片生产工艺流程、碳化硅芯片生产工艺流程、对比分析与讨论、结论与展望。首先，我们将从一个总体角度介绍氮化镓和碳化硅芯片的生产工艺。氮化镓(gan)和碳化硅(sic)芯片的生产工艺流程_概述说明
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半导体设备碳化硅（SiC）零部件行业研究报告-聚展
2024年4月5日 一、半导体设备碳化 硅（SiC）零部件行业的相关基本概念 （一）半导体设备零部件行业的基本概况 半导体行业遵循“一代技术、一代工艺、一代设备”的产业规律， 半导体设备 的升级迭代很大程度上有赖于其 零部件 的技术突破。 精密零部件不仅是半导体设备制造环节中难度较大、技术含量较高 ...到了2023年底或者说2024年初，我们在国内的新订单也绝大部分转向了8英寸SiC设备，或者是兼容6英寸和8英寸的设备。 有些客户可能会考虑到他们的6英寸生产线还有剩余的生命周期，因此他们选择采购兼容6英寸和8英寸的设备，这是完全可以理解的。国产8英寸SiC芯片如何突围？5位大咖这样说 - 与非网
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碳化硅 ~ 制备难点 - 知乎
2023年3月13日 碳化硅总体价格高昂的主要原因在于： 衬底价格较贵，在总体晶圆成本中占比可达 30%，参考自有衬底的 Wolfspeed 和部分衬底外采的 STM，衬底价格在 400~600 美元/片； 前段工艺（晶圆制造）良率损失较大；此外，外延良率损失和效率同样对碳化硅总体价格2 天之前 员工也被遣散了。听说是因该公司经营不善，现在厂区的部分产线设备 ... 背后说明，从事碳化硅生产 ，不仅技术过硬，还要经得起批量供应‘产业 ...碳化硅龙头世纪金光陷停车风波：注册地办公场所“人
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碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus - 腾讯网
2023年7月14日 因为碳化硅在生产环节存在单晶生产周期长、环境要求高、良率低等问题，碳化硅衬底的生产中的长晶环节需要在高温、真空环境中进行，对温场 ...2024年10月22日 9月27日，住友金属及其全资子公司Sicoxs Coparation宣布，将在Sicoxs的Ohkuchi工厂建设一条新的8英寸SiCkrest大规模生产线，SiCkrest为直接键合的碳化硅衬底。 10月13日，据韩媒报道，韩国东部高科（DB HiTek）于11日宣布，其将在忠清北道Eumseong的Sangwoo园区内投资扩建半导体洁净室，计划先行建设8英寸碳化硅产 ...厦门8英寸碳化硅项目预计2025年试生产-全球半导体观察
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国产8英寸SiC芯片如何突围？5位大咖这样说 - 与非网
到了2023年底或者说2024年初，我们在国内的新订单也绝大部分转向了8英寸SiC设备，或者是兼容6英寸和8英寸的设备。 有些客户可能会考虑到他们的6英寸生产线还有剩余的生命周期，因此他们选择采购兼容6英寸和8英寸的设备，这是完全可以理解的。2022年10月9日 由于碳化硅材料具有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿强度、高热导 率等特点，碳化硅是功率器件理想的制造材料。当前碳化硅材料功率 ...碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领行业变革 ...
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碳化硅晶圆制造难在哪？做出200mm的凤毛麟角 - 电子工程 ...
同时期的硅晶圆已经由200mm（8英寸）向300mm（12英寸）进发，但碳化硅晶圆的主流尺寸一直是150mm（6英寸），每片晶圆能制造的芯片数量不大，远不能满足下游需求。真的这么难吗？包括SiC在内的第三代半导体产业链包括包括衬底→外延→ ...2023年3月13日 碳化硅总体价格高昂的主要原因在于： 衬底价格较贵，在总体晶圆成本中占比可达 30%，参考自有衬底的 Wolfspeed 和部分衬底外采的 STM，衬底价格在 400~600 美元/片； 前段工艺（晶圆制造）良率损失较大；此外，外延良率损失和效率同样对碳化硅总体价格碳化硅 ~ 制备难点 - 知乎
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总投资超200亿，长飞先进武汉基地SiC项目首批设备搬入
3 天之前 本次搬入的设备涵盖芯片制造各个环节，包括薄膜淀积、离子注入、光刻、刻蚀等，较原定设备搬入时间大幅提前。 长飞先进总裁陈重国表示，首批设备的进驻，标志着武汉基地项目正式进入产能建设新阶段，接下来还将面临工艺验证、产品通线等更多、更难的挑战。2 天之前 员工也被遣散了。听说是因该公司经营不善，现在厂区的部分产线设备 ... “这个背后说明，从事碳化硅生产 ，不仅技术过硬，还要经得起批量供应‘产业化’检验的考验。” 不过，亦有部分产业链公司人士认为，世纪金光破产 ...碳化硅龙头世纪金光陷停车风波：注册地办公场所“人去楼空 ...
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MIR SEMICON China 2024 回顾-国产厂商的突围之战 - 知乎
2024年4月7日 AI及新能源汽车行业持续火爆，2023年一定程度上带动了晶圆制造设备需求的增加。AI产业的不断发展带动了GPU、FPGA、ASIC、NPU等芯片产品的需求增长，新能源汽车行业也带动了碳化硅产品需求的增加，部分 晶圆制造厂商对于晶圆制造设备的需求 ...
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