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新材料篇 第三代半导体 - 碳化硅SiC深度行研（1）
2024年4月30日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。 碳化硅是由美国人艾奇逊在1891年电熔金刚石实验时，在实验室偶然发 2023年11月30日 日商发布了一种全新的SiC晶圆划片工艺，与传统工艺相比，这项技术可将划片速度提升100倍，而且可以帮助SiC厂商增加13%的芯片数量。某厂的划线裂片SnB工艺可以一次性解决这些问题。SnB工艺包括两个过程：划 碳化硅新工艺：提速、升数、降本 - 知乎
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碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 汉斯出版社
2024年11月30日 常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。本文对SiC粉体的制备、碳化硅陶瓷烧结技术和应用进 2024年10月12日 在新能源汽车领域，碳化硅的应用尤为显著。 它能够显著提升电能转换效率，减少能量损耗，从而有效延长电动汽车的续航里程并提升整车性能。 据市场预测，到2025 激光工艺在碳化硅半导体晶圆制造中的创新应用
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碳化硅技术进展，全球8英寸晶圆生产线布局全解析
2024年9月12日 2024年6月18日，士兰微电子在厦门市海沧区正式启动了国内首条8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目，项目名称为：“士兰集宏”，总投资高达120亿人民币。 该项目将分两期建设，旨在形成年产72万片8英 2024年11月25日 碳化硅（SiC）作为一种高性能的半导体材料，其制造工艺涉及多个复杂步骤，以下是对SiC制造工艺的详细介绍： 原材料选择与预处理 SiC生产的基础在于原材料的精选。碳化硅SiC制造工艺详解 碳化硅SiC与传统半导体对比 - 电子 ...
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格力、三安、长飞等3条SiC晶圆线投产/点亮 - 电子
4 天之前 据“行家说三代半”此前报道，2023年6月，三安光电与意法半导体宣布将在中国重庆建立一个新的 8英寸碳化硅器件合资制造厂。同时，三安光电将利用自有SiC衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂，以满足该合 2022年12月1日 在新能源汽车、光伏发电、轨道交通和智能电网等领域，碳化硅器件显示出明显的优势。通过本文介绍的制造工艺，读者能够更好地了解碳化硅器件的特点和制备过程。一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区 ...
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深入探讨碳化硅工艺：半导体材料的新一代继承者
2016年3月9日 在众多的半导体材料中，碳化硅 (Silicon Carbide, 简称SiC)以其良好的物理和电学性能成为继承锗、硅、砷化镓之后新一代微电子器件和电路的半导体材料。 表1列出了几种重要半导体材料的基本特性比较，从中我们可以看 2024年3月7日 作为供应链中的关键一环，碳化硅晶圆的制造工艺正与精密加工技术紧密结合，不断突破低良率和安全性能不足的技术障碍，推动其进入晶圆的新时代！碳化硅晶圆制造 精密加工技术解决方案 精密磨削技术解决方案「碳化硅」晶圆制造及精密磨削、抛光、清洗解决方案，实现 ...
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碳化硅生产工艺 - 百度文库
碳化硅生产工艺-(4)碳化硅在1400℃与氧气开始反应。在900~1300℃开始氧化、分离出SiO2，或产生CO气体。 ... 装料顺序是在炉底先铺上一层未反应料，然后添加新配料到一定高度(约炉芯到炉底的二分之一) ...碳化硅生产工艺-(2）生产操作：采用混料机混料，控制水分为2%~3％，混合后料容重为1.4~1。 6g/cm3。 装料顺序是在炉底先铺上一层未反应料，然后添加新配料到一定高度(约炉芯到炉底的二分之一）,在其上面铺一层非晶形料,然后继续加配料至炉芯水平。碳化硅生产工艺 - 百度文库
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高性能碳化硅的成型与烧结工艺分析-(7945) - 豆丁网
2019年4月9日 相比而言，凝胶注模（Gelcasting）成型工艺是九十年代以来出现的一种 新的胶态成型工艺，目前已能制备出多种复合 陶瓷的部件（从氧化铝基耐火材料到 高性能的氮化硅陶瓷）【5】，但很少有资料报道碳化硅部件的凝胶注模成型。为此本文 在 ...2024年12月12日 碳化硅（SiC）功率器件凭借耐高温、耐高压、高功率密度和高频性能，成为第三代半导体的重要代表。碳化硅二极管与MOSFET广泛应用于电力电子、新能源汽车和清洁能源领域，具备显著性能优势。从原材料合成到晶圆制造及后续封装的完整产业链展现了其技术复杂性和 深入解析碳化硅二极管与MOSFET：第三代半导体的制造与 ...
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事关第三代半导体，这种核心材料发展有何战略？碳化硅 ...
2024年7月11日 从产品来看，国内碳化硅产品主要集中在中低端市场，真正用于高精尖科技的如高级研磨粉、精密电子元件等方面的生产工艺技术还被国外垄断。在 ...2022年8月24日 导电型衬底可用于生长碳化硅外延片，制成耐高温、耐高压的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，应用于新 ... 生产工艺流程及周期 碳化硅 生产流程主要涉及以下过程： 1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬 ...新能源｜碳化硅产业链研究（产业链篇）_器件_工艺流程_外延
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三安光电林志东：8英寸碳化硅产线拟明年通线量产 - 新浪财经
2024年12月12日 对于重庆的碳化硅项目进度，林志东透露：“我们现在设备进场，然后做工艺验证，因为它是国内中西部地区第一条完整的8英寸碳化硅产线，从安装 ...2024年10月21日 最新市场消息显示，由于中国新能源汽车、光伏市场近年来的迅猛发展，在技术迭代及产能扩充加快步伐下，碳化硅产业链多环节成本正在大幅下降，其中SiC衬底、外延以及SiC模块降价明显。SiC衬底价格三大问题引发市场关注行业消息显示，今年以来，主流6英寸SiC衬底价格持续下滑，其价格已下...碳化硅，价格下跌近30% 最新市场消息显示，由于中国新 ...
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碳化硅衬底切割技术的详解； - 知乎专栏
2023年10月27日 在碳化硅生产流程中，碳化硅衬底制备是最核心环节，技术壁垒高，难点主要在于晶体生长和切割。单晶生长 后，将生长出的晶体切成片状，由于碳化硅的 莫氏硬度 为9.2，仅次于金刚石，属于高硬 脆性材料，因此切割过程耗时久，易裂片。实现切割损耗小、并且切割出厚度均匀、翘曲度小的高 ...2023年9月27日 作者：慧博智能投研碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理近年来，随着5G、 新能源 等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产
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工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 - 知乎
2020年12月8日 目前全球95%以上的半导体元件，都是以第一代半导体材料硅作为基础功能材料，不过随着电动车、5G等新应用兴起，硅基半导体 受限硅材料的物理性质，在性能上有不易突破的瓶颈，因此以 氮化镓 （GaN）、碳化 论文题目：碳化硅镀膜工艺研究 摘要：碳化硅镀膜工艺作为一种新兴的表面处理技术，在电子、航空航天、新能源等领域具有广泛的应用前景。本文详细介绍了碳化硅镀膜工艺的原理、分类、制备方法及其性能，旨在为相关领域的研究和应用提供参考。碳化硅镀膜工艺 - 百度文库
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提升SiC MOSFET动态响应：驱动优化与散热布局全解析
6 天之前 随着碳化硅（SiC）技术的快速发展，SiC MOSFET已成为电力电子领域和SiC功率器件种类的关键器件，凭借出色的高频特性、低导通电阻和卓越的耐高温性能，广泛应用于电源转换、高功率驱动以及新能源等领域。 然而，SiC MOSFET在实际应用中常 ...2024年10月28日 碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。中国 工业 生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25。碳化硅工艺碳化硅技术标准_碳化硅工艺
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碳化硅陶瓷间接3D打印：不同烧结工艺制备的异同-CSDN博客
2023年11月16日 文章浏览阅读231次。SiC是一种Si-C键很强的共价键化合物，具有硬度高和脆性大的特点，难以机械加工，传统成型方法如注浆成型、等静压成型和挤出成型等，在大尺寸、轻量化、复杂结构的碳化硅零件成型方面具有一定的局限性。传统陶瓷成型工艺都需要借助事先制好的模具才能制备出具有一定 ...2024年4月28日 想要降低碳化硅衬底的成本，主要得从碳化硅单晶入手。价格昂贵的碳化硅衬底是利用切、磨、抛等工艺加工碳化硅单晶而得。如果生长出更厚的碳化硅单晶，那不仅能减少籽晶的用量，缩短单位厚度晶体的生长时间、提高生产效率，还能减少能耗和辅材用量，从而显著降低碳化硅衬底的成本。厚度达100 mm! 碳化硅单晶生长取得新进展
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【钧瓷网】“钧瓷新工艺”的回顾与思考_生产
2018年8月28日 回顾“新工艺”的过去，它带来的革新在钧瓷的发展史上是史无前例的，它几乎涵盖了钧瓷生产工艺的整个流程，如今很多工艺已被引入到了现代钧瓷的生产中，“钧瓷新工艺”还有着以下几方面的巨大优势：一成本优势（成本低）：二生产优势（可连续批量生产）；三碳化硅陶瓷的烧结工艺-5.徐强，朱时珍，曹建岭，等．SiC陶瓷的SPS烧结机理的 ... 液硅或硅合金,在毛细管力的作用下渗入含碳的多孔陶瓷素坯,并与其中的碳反应生成碳化硅,新生成的碳化硅原位结合素坯中原有的碳化硅颗粒,浸渗剂填充素坯中的 ...碳化硅陶瓷的烧结工艺 - 百度文库
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「碳化硅」晶圆制造及精密磨削、抛光、清洗解决方案，实现 ...
2024年3月7日 碳化硅（SiC）作为一种先进的半导体材料，在多个关键领域中具有重要应用。随着技术进步和市场的需求增长，碳化硅晶圆的制造工艺和精密加工技术变得至关重要。文章探讨了碳化硅晶圆制造中的各种精密加工技术，以及它们如何帮助实现产品的高性能和高可靠性。同时，文章也提到了中国在全球 ...2016年12月15日 碳化硅涂层 碳化硅衬底 碳化硅薄膜生产工艺 星级： 18 页 碳化硅及碳化硅制品生产新工艺新技术与新设备选用质量 星级： 4 页 绿碳化硅与热压工艺 星级： 4 页 碳化硅碳化硅制品生产新工艺新技术新设备选用质量验收标准 星级： 3 页 碳化硅的激光打标工艺研究碳化硅的节能粉碎设备与工艺研究 - 道客巴巴
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碳化硅：渗透新能源车半壁江山 第三代半导体百亿级市场拉开 ...
2024年2月28日 碳化硅作为材料已有百年历史，商业化也已超过30多年。1824年，瑞典科学家在人工合成金刚石的实验中意外发现了碳化硅这一物质，其硬度比钻石小但光彩更亮；1955年，LELY提出生长高品质碳化硅的方法，从此将碳化硅作为重要的电子材料；1987年，科锐制造了出世界上第一块商用碳化硅衬底，并把它 ...2023年8月23日 亮相上海光伏展，新工艺引入碳化硅器件。公司携前沿电源系统解决方案亮相上海于2023年5月24-26日 举行的“SNEC第十六届(2023) 国际太阳能光伏与智慧 ...充电桩行业专题报告：从高压快充看碳化硅在电力设备中的运用
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半导体碳化硅(SiC) 衬底加工技术进展详解； - 知乎专栏
2024年2月1日 这是由于 SiC 晶体硬度高、脆性大、化学性质稳定，受加工技术的制约，目前 SiC 衬底的加工损耗极高、效率极低，并且很难获得高表面质量的SiC衬底片,因此,亟需开发先进的衬底加工工艺。SiC衬底的加工主要分为切割、研磨和抛光，下面将展开具体分析。2014年3月26日 碳化硅生产过程中产生的问题： 1.施工期的环境影响及预防或者减轻不良环境影响的对策和措施的要点: ①扬尘，土石方施工、建筑材料的运输和堆存会产生扬尘，对周围环境空气产生影响;②施工机械排放的尾气;③噪声，施工车辆、建筑机械运行和施工材料的碰撞产生噪声，影响声环境质量;④建筑 ...碳化硅生产工艺中主要产生哪些污染物?如何防治污染?常见 ...
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碳化硅电力电子器件及其制造工艺新进展_百度文库
碳化硅电力电子器件及其制造工艺新进展-[6 ] 这就是说 ,如果用碳化硅制造单极器件 ,在阻断电压 高达 10000V 的情况下 ,其通态压降还会比硅的双极 器件低 . 而单极器件在工作频率等方面要优于双极 器件 ,因而对碳化硅电力电子器件的研究开发比较 集中于 ...2024年8月15日 工艺过程： 通过电弧放电产生高温等离子体，温度通常可达15,000°C以上。碳化硅粉末在等离子体的作用下被加热至熔融或半熔融状态，同时被高速气流携带至基材表面。当熔融的碳化硅颗粒撞击基材表面时，迅速冷却并凝固，形成致密的涂层。优势：金属表面喷涂碳化硅：耐高温抗腐蚀新材料，制造能源领域 ...
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一文读懂碳化硅晶片切割新技术新技术碳化硅晶圆_新浪新闻
2024年7月21日 高质量的结晶碳化硅的生产成本非常高，人们往往希望将一个大的碳化硅晶锭切成尽可能多的薄碳化硅晶片衬底，同时工业的发展使晶片尺寸不断增大，这些都让人们对切割工艺的要求越来越高。但是碳化硅材料的硬度极高，莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的2024年8月22日 械研磨工艺和机械拋光工艺,三种晶片表面处理工艺是SiC晶片表面处理的重要工艺,对其进行研究有重要 意义。该文主要探讨SiC晶片磨削减薄加工表面崩边、划痕等损伤的特性及形成的原因,提出减小晶片磨削减 薄表面崩边、划痕损伤的工艺方法。碳化硅晶片减薄工艺对表面损伤的影响 - Researching
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碳化硅封装——三大主流技术！ - 电子工程专辑 EE Times China
2023年9月26日 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装杂散电感参数较大，难以匹配器件的快速开关特性；器件高温工作时，封装可靠性降低；以及模块的多功能 ...
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